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天津市工程技术系列集成电路专业职称评价标准

一、基本条件(一)政治素质好,遵守中华人民共和国宪法和法律法规。(二)具有良好的职业道德、敬业精神,作风端正。(三)热爱本职工作,身心健康,能认真履行岗位职责。 ………

职称证

天津职称

一、基本条件

(一)政治素质好,遵守中华人民共和国宪法和法律法规。

(二)具有良好的职业道德、敬业精神,作风端正。

(三)热爱本职工作,身心健康,能认真履行岗位职责。

(四)按国家和我市规定,符合有关年度考核和继续教育相关要求。

二、技术员资格条件

在符合基本条件的基础上,技术员还应符合以下条件:

(一)学历、资历要求。应符合下列条件之一:

1.具备大学专科、中等职业学校毕业学历,在集成电路专业岗位工作满1年,并经所在单位业绩考核合格。技工院校毕业生可按有关规定申报,其中,中级工班毕业生在职称评价时视同为中专学历,高级工班毕业生视同为大专学历,下同。

2.具备中级职业资格或职业技能等级,从事集成电路专业相关工作满2年。

(二)专业能力、业绩成果要求。应熟悉集成电路专业的基础理论知识和专业技术知识,具有完成一般技术辅助性工作的实际能力,能够承担岗位职责任务。

三、助理工程师资格条件

在符合基本条件的基础上,助理工程师还应符合以下条件:

(一)学历、资历要求。应符合下列条件之一:

1.具备博士、硕士学位或第二学士学位,从事集成电路专业相关工作。

2.具备大学本科学历或学士学位,在集成电路专业岗位工作满1年;或具备大学专科学历,在集成电路专业岗位工作满3年;或具备中等职业学校毕业学历,在集成电路专业岗位工作满5年,并经所在单位业绩考核合格。技工院校毕业生可按前文规定申报,其中,预备技师(技师)班毕业生在职称评价时视同为本科学历,下同。

3.具备高级工职业资格或职业技能等级,从事集成电路专业相关工作满2年。

(二)专业能力、业绩成果要求。应掌握集成电路专业的基础理论和专业技术知识,具有独立完成一般性技术工作的实际能力,能够处理一般性技术问题,指导技术员开展工作,较好的完成岗位职责任务。

四、工程师资格条件

在符合基本条件的基础上,工程师还应符合以下条件:

(一)学历、资历要求。应符合下列条件之一:

1.具备博士学位,从事集成电路专业相关工作。

2.具备硕士学位或第二学士学位,取得助理工程师资格并担任助理工程师职务满2年。

3.具备大学本科学历或学士学位,或具备大学专科学历,取得助理工程师资格并担任助理工程师职务满4年。技工院校毕业生可按前文规定申报。

4.具备技师职业资格或职业技能等级,从事集成电路专业相关工作满3年。

(二)专业能力要求。应熟练掌握并能够运用集成电路专业的基础理论和专业技术知识,熟悉国内外专业现状和发展趋势,能够指导助理工程师工作。此外,在担任助理工程师期间还应符合下列条件之一:

1.有独立承担较复杂项目的研究、设计工作能力,能解决本专业范围内比较复杂的技术问题。

2.有一定从事工程技术研究、设计工作的实践经验,能吸收、采用国内外先进技术,在提高研究、设计水平和经济效益方面取得一定成绩。

3.基本掌握现代生产管理和技术管理的方法,有独立解决比较复杂技术问题的能力。

4.有一定从事生产技术管理的实践经验,取得有实用价值的技术成果和经济效益。

(三)业绩成果要求。担任助理工程师职务后,应具备下列3项及以上条件:

1.参与完成1项及以上省部级集成电路专业相关的研究课题,并结项。

2.参与国家、行业、省部级集成电路专业领域发展规划、战略决策等相关政策、标准、规范、法律、法规的制定,并颁布实施。

3.作为主要完成人(前5名)完成本单位集成电路专业领域工程项目的规划和实施工作,制定本单位集成电路专业管理标准、战略、发展规划、管理制度;或作为子项目专业负责人,在项目管理、科研开发、生产经营、技术转让与引进等工作中成效明显。

4.独立完成本单位集成电路专业领域项目、产品或服务的设计开发,为单位取得较好的经济效益。

5.作为第一、二作者或通讯作者,在学术期刊上公开发表集成电路专业论文或调研报告1篇及以上;作为第一、二作者,在省部级专业学术会议上发表集成电路专业论文1篇及以上;作为第一作者,撰写集成电路专业的单位内部研究报告1篇及以上,要求引用数据齐全、结论正确,并经2名高级工程师评议证明,具有一定实用价值。

6.参与完成集成电路专业领域已授权的发明专利或实用新型专利1项及以上。

7.作为项目参与人,完成相关专业领域国家级专项1项及以上,并结项。

8.在中国500强企业,参与完成相关专业领域专项1项及以上,并结项。

(四)破格条件。不满足本条第(一)款学历、资历要求,但担任助理工程师职务后具备下列条件之一的,可破格申报:

1.凭集成电路专业领域相关专业项目,获区局级科学技术奖励三等奖及以上的主要完成人(前5名)。

2.获得市级技术能手称号等荣誉。

3.参与信息技术创新应用(以下简称“信创”)领域省部级自主创新项目取得明显成果(前5名),或满足本条第(三)款业绩成果要求的4项以上,并经2名相关专业高级工程师推荐及业务主管部门同意。

五、高级工程师资格条件

在符合基本条件基础上,高级工程师还应符合以下条件:

(一)学历、资历要求。应符合下列条件之一:

1.具备博士学位,从事集成电路专业相关工作满2年。

2.具备硕士学位、第二学士学位、大学本科学历或学士学位,取得工程师资格并担任工程师职务满5年。技工院校毕业生可按前文规定申报。

3.具备高级技师职业资格或职业技能等级,从事集成电路专业相关工作满4年。

(二)专业能力要求。应系统掌握集成电路专业的基础理论和专业技术知识,掌握国内外专业现状和发展趋势,具有发现、分析和解决实际问题的能力,能够指导、培养中青年学术技术骨干、工程师或研究生的工作学习。此外,担任工程师职务期间还应符合下列条件之一:

1.能够承担或组织重要、复杂、关键工程项目的设计,针对关键技术提出试验要求和实施方案,并能够解决设计中的技术难题。

2.能够承担或组织重要、复杂产品或工程项目的实施,并能够解决生产过程中的技术难题。

3.能够承担或组织重要、复杂、关键的研究课题,提出或审定关键技术发展规划及分析论证报告。

4.能够开展引进国外先进技术产品的调研,并提出可行性分析论证报告,能够对产品消化、吸收、改进、创新、推广。

(三)业绩成果要求。担任工程师职务后,应具备下列3项及以上条件:

1.凭集成电路专业项目,获省部级科技奖励三等奖及以上,具有个人证书。

2.主持或参与完成2项及以上省部级集成电路专业研究课题,并结项。

3.参与国家、行业、省部级集成电路专业中长期发展规划、重大战略决策相关政策、标准、规范、法律、法规的制定,并颁布实施。

4.负责制定本单位集成电路管理标准、战略、发展规划、管理制度;或作为集成电路专业负责人,在项目管理、科研开发、生产经营、技术转让与引进等工作中成效显著。

5.主持完成2项及以上本单位集成电路专业重点项目,为单位取得较高的经济效益。

6.作为主要作者编写并发表集成电路专业著作或译著10万字及以上;作为第一、二作者或通讯作者,在学术期刊上公开发表集成电路专业论文或调研报告2篇及以上;或作为第一、二作者,在省部级专业学术会议上发表集成电路专业论文2篇及以上;或作为第一作者,撰写集成电路专业的单位内部研究报告2篇及以上,要求引用数据齐全、结论正确,并经2名正高级工程师评议证明,具有一定实用价值。

7.作为主要完成人(前5名),参与完成集成电路专业领域已授权的发明专利或实用新型专利2项及以上。

8.作为项目参与人,完成相关专业领域国家重大专项1项及以上,并结项。

9.在世界500强企业,参与完成相关专业领域重大专项1项及以上,并结项。

(四)破格条件。不满足本条第(一)款学历、资历要求,但担任工程师职务后具备下列条件之一的,可破格申报:

1.凭集成电路专业相关项目,获省部级科技奖励三等奖及以上的主要完成人(前5名),或获省部级工程技术行业类奖项三等奖及以上(额定人员)。

2.获得国家专利金、银奖的主要完成人(前5名)。

3.获得中华技能大奖、全国技术能手称号等荣誉。

4.参与信创领域国家级自主创新项目取得显著成果(前5名),或满足本条第(三)款业绩成果要求的4项以上,并经2名相关专业正高级工程师推荐及业务主管部门同意。

六、正高级工程师资格条件

在符合基本条件基础上,正高级工程师还应符合以下条件:

(一)学历、资历要求。一般应具备大学本科以上学历或学士以上学位,担任高级工程师职务满5年。技工院校毕业生可按前文规定申报。

(二)专业能力要求。具有全面系统的专业理论和实践功底,学术科研水平高或者科学实践能力强,全面掌握集成电路专业领域的国内外前沿发展动态,具有引领科技发展前沿水平的能力,能够推动集成电路专业发展,能够指导、培养高级工程师或研究生工作学习。此外,在担任高级工程师期间,还应符合下列条件之一:

1.能够牵头申请获得并主持完成省部级以上重点工程项目、攻关项目、技术创新项目等。

2.能够主持完成业内认可的省部级高水平课题研究。

3.能够运用新理论、新技术、新方法、新工艺解决技术难题;在科技成果转化过程中具有开创性运用工程技术的能力。

(三)业绩成果要求。担任高级工程师职务后,应具备下列3项及以上条件:

1.作为工程技术项目主持人或产品负责人曾创造性完成至少1项,或作为主要完成人(前5名)完成省部级及以上重点工程项目、科技攻关项目、技术创新项目2项及以上,其技术水平处于国内领先地位并在解决关键性技术问题中起到主要作用,项目或产品已被省部级以上相应的主管部门鉴定或验收。

2.在技术上有重大发明或重大革新,解决过工程技术领域的技术难题,开发出新产品、新材料、新设备、新工艺,并已投入生产,其成果获国家级奖1项或省部级三等及以上奖2项及以上(具有个人证书或前5名);或作为第一完成人,其成果的可比性技术经济指标处于国内领先水平。

3.作为相关专业的主要技术负责人曾创造性完成1项及以上,或作为主要完成人完成省部级及以上课题研究项目2项及以上,并取得显著效益。承担的重点项目技术报告,经同行专家评议具有国内领先水平,技术论证有深度,调研、设计、测试数据齐全、准确。

4.作为相关专业的主要技术负责人,在技术改造、标准计量、科技信息等研究、开发、推广、应用工作中,取得省部级及以上科技成果,其技术综合指标达到国际先进水平或国内领先水平,并通过省部级以上鉴定;或作为主要技术负责人主持的技术项目取得显著效益,并通过省部级以上鉴定。

5.作为主要撰写人,完成国内外公开出版的相关专业学术、技术专著(单部著作个人承担20万字及以上);或作为第一作者或通讯作者,在行业内公认的高水平期刊上发表相关专业的学术、技术论文2篇及以上。

6.作为第一起草人,主持制定过省部级及以上行业技术标准或技术规范,并颁布实施。

7.作为第一发明人,主持完成相关专业已授权的发明专利1项及以上,具有显著经济和社会效益。

8.作为项目负责人,主持完成相关专业领域国家重大专项1项及以上,并结项。

9.在世界500强企业,主持完成相关专业领域重大专项1项及以上,并结项。

(四)破格条件。不满足本条第(一)款学历、资历要求,但担任高级工程师职务后具备下列条件之一的,可破格申报:

1.凭集成电路专业相关项目,获国家级科技奖励(具有个人证书)。

2.主持信创领域国家级自主创新项目取得重大成果,或满足本条第(三)款业绩成果要求的4项及以上,并经具有相关专业5年正高级工程师资历的2名资深专业人士推荐及业务主管部门同意。

七、有关说明

(一)集成电路相关专业范围

集成电路职称专业范围包括集成电路设计、生产、封装、测试、装备、材料等6大类:

1.集成电路设计:指以可制造集成电路版图为目标的从功能描述到电路版图的工程实现过程,一般包括集成电路电子器件及互连线模型建立、集成电路逻辑设计,诸如数字、模拟和射频等集成电路物理设计,以及支撑集成电路设计的电子设计自动化等内容。

2.集成电路生产:指电子电路在半导体晶圆表面上的微型化。集成电路生产制造工艺包括光刻(Litho)、干法刻蚀(Etch)、离子注入(IMP)、清洗及湿法刻蚀(WET)、高温炉管扩散及成膜(Furnace)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、化学机械抛光(CMP)等工艺步骤。使用单晶硅晶圆(或III-V族半导体材料)作为基层,利用各种半导体制造工艺,通过整合成工艺流程,把电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起,成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路制造技术节点以能达到的最小线宽进行分类,例如0.35微米、0.18微米,90纳米,14纳米,7纳米,5纳米等。

3.集成电路封装:包括倒装芯片(FC)、硅通孔(TSV)、嵌入式封装(ED)、扇入(Fan-in)/扇出(Fan-out)型晶圆级封装、系统级封装(SiP),多芯片封装(multi-die packaging),立体封装(2.5D & 3D IC Packaging)、微机电与感测元件封装(MEMS and Sensor Packaging),嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)封装技术等。

4.集成电路测试:指利用测试设备测试实证芯片是否达到设计要求指标,是否满足实际使用环境要求,与其它产商产品相比是否具有性能和成本方面的竞争力。测试主要包括:性能测试、可靠性测试、产品良率测试等。测试方式:wafer上的裸片测试、封装后测试等。

5.集成电路装备

(1)8-12英寸集成电路硅片加工设备:单晶炉、滚磨设备、切片设备、倒角设备、研磨设备等。

(2)晶圆制造设备:光刻设备、化学机械抛光设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入设备等。

(3)封测设备:磨片、划片、装片、键合、塑封、晶圆测试(CP)和芯片测试(FT)等各个工序上所使用的各类复杂设备。例如,切割减薄设备、引线机、键合机,测试环节中的探针台、测试机、分选机、理想信号发生设备、信号分析设备、电压源电流源基准源等设备。 

6.集成电路材料

(1)器件沟道材料:11N高纯硅,III-V族半导体((In,Ga)As, (In,Ga)P, (In,Ga)N)、碳纳米管、石墨烯、黑磷、过渡金属硫属化合物MX2(M=Mo、W、V、Ti、Ta等,X=S、Se、Te)、铁电半导体(In2Se3)等。

(2)器件栅介质材料:HfO2、HfZrO2、Al2O3、Y2O3、范德瓦尔斯材料BN、MX3(M=Sc、Y、Bi等,X=Cl、Br、I)等。

(3)电极材料:TiN, TaN。

(4)大功率器件材料(分立器件):Si、SiC、GaN、Ga2O3等。

(5)封装材料:导电,Cu、Al及其合金Sn-Pb、Sn-Ag、 Sr-Ag-Cu等;陶瓷衬底,Al2O3、 AlN、Si3N4等。芯片封装材料包括封装基板、引线框架、树脂、键合丝、锡球以及电镀液、电子特种气体等。

(二)中国500强企业、世界500强企业

中国500强企业是由中国企业联合会、中国企业家协会按国际惯例组织评选、发布的中国企业排行榜,可参照《中国企业联合会官网》500强企业名单或《财富》杂志各年度中国500强排行榜。

世界500强企业是由《财富》杂志发布的世界企业排行榜,可参照《财富》杂志各年度世界500强排行榜。

(三)主持或项目负责人,是指该项目主持人或负责人,位列项目成员第一。

(四)公开出版,是指有国内标准书号(ISBN号),或国内统一刊号(CN号,类别代码F)或国际统一刊号(ISSN号)的出版物。

(五)高水平期刊,包括北京大学图书馆“中文核心期刊”、南京大学“中文社会科学引文索引(CSSCI)来源期刊”、中国社会科学院文献信息中心“中国人文社会科学核心期刊”。

(六)专业技术工作年限,是指从事本专业或相近专业工作的累计有效年限,工作年限计算截止至参评当年12月31日。

(七)凡冠有“以上”的,均含本级或本数量。

来自天津市客户的评论:这年头,没有业绩,真的很难,尤其是自己还不上心的,总想省事的,呵呵了,不淘汰你淘汰谁哦!

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